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JG/T 156-2004 竹胶合板模板

作者:标准资料网 时间:2024-05-15 07:47:42  浏览:8365   来源:标准资料网
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基本信息
标准名称:竹胶合板模板
英文名称:Plybamboo form
中标分类: 农业、林业 >> 林业 >> 原竹与竹材
ICS分类: 木材技术 >> 木材、原木和锯材
替代情况:替代JG/T 3026-1995
发布部门:中华人民共和国建设部
发布日期:2004-02-12
实施日期:2004-06-01
首发日期:1900-01-01
作废日期:1900-01-01
提出单位:建设部标准定额研究所
归口单位:建筑制品与构配件产品标准化委员会
起草单位:北京建筑工程学院、中国模板协会
起草人:陈家珑、糜嘉平、鲁铁兵、郎妙国、赵仁杰等
出版社:中国标准出版社
出版日期:2004-04-22
页数:10页
书号:155066.2-15698
适用范围

本标准代替JG/T 3026-1995《竹胶合板模板》。本标准规定了竹胶合板模板的术语与定义、分类、代号和规格、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本标准适用于混凝土施工用的竹模板。本标准与JG/T 3026-1995相比主要变化如下:
—更加明确了本标准的范围(见第1章);
—修改了部分术语和定义(见第3章);
—增加了组坯中的对称、方向和厚度要求(见5.2);
—提高了模板厚度、长宽、对角线长度、板面翘曲度的偏差要求,增加了四边不直度的要求(见5.4);
—提高了模板外观质量要求(见5.5);
—取消了产品一等品、密度、吸水率和胶合强度的技术要求,提高了静曲弹性模量、冲击强度和水煮、冰冻、干燥的保存强度的技术指标,增加了折减系数的技术要求(见5.6);
—修改了表面处理板模板外观质量要求,增加了胶合性能、耐碱性(见5.7);
—修改和增加了对应的试验方法(见第6章);
—明确了检验规则(见第7章);
—修改了标志、包装、运输和贮存中的部分要求(见第8章)。

前言

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目录

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引用标准

下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本
GB/T 14732-1993 木材工业胶粘剂用脉醛、酚醛、三聚氰胺甲醛树脂
GB/T 17657-1999 人造板及饰面人造板理化性能试验方法
LY/T 1574-2000 混凝土模板用竹材胶合板

所属分类: 农业 林业 林业 原竹与竹材 木材技术 木材 原木和锯材
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【英文标准名称】:Testingmethodsforoxidationresistanceofnon-oxidefineceramics
【原文标准名称】:无氧化物细陶瓷抗氧化能力的测试方法
【标准号】:JISR1609-2003
【标准状态】:现行
【国别】:日本
【发布日期】:2003-05-20
【实施或试行日期】:
【发布单位】:日本工业标准调查会(JP-JISC)
【起草单位】:TechnicalCommitteeonCeramics
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:
【英文主题词】:
【摘要】:この規格は。主として,窒化けい素,サイアロン及び炭化けい素などの非酸化物系ファインセラミックス焼結体の高温における耐酸化性の試験方法について規定する。
【中国标准分类号】:Q30
【国际标准分类号】:81_060_30
【页数】:16P;A4
【正文语种】:日语


基本信息
标准名称:硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法
英文名称:Test method for measuring surface metal contamination on silicon wafers by total reflection X-ray fluorescence spectroscopy
中标分类: 冶金 >> 半金属与半导体材料 >> 半金属与半导体材料综合
ICS分类: 电气工程 >> 半导体材料
发布部门:中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
发布日期:2009-10-30
实施日期:2010-06-01
首发日期:2009-10-30
作废日期:
主管部门:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
提出单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会
归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
起草单位:有研半导体材料股份有限公司、万向硅峰电子有限公司
起草人:孙燕、李俊峰、楼春兰、卢立延、张静、翟富义
出版社:中国标准出版社
出版日期:2010-06-01
页数:16页
计划单号:20070862-T-469
适用范围

本标准规定了硅片表面金属沾污的全反射X 光荧光光谱测试方法,本方法使用单色X 光源全反射X 光荧光光谱的方法定量测定硅单晶抛光衬底表面层的元素面密度。
本标准适用于N 型和P型硅单晶抛光片、外延片等镜面抛光的硅片,尤其适用于清洗后硅片自然氧化层,或经化学方法生长的氧化层中沾污元素的面密度测定。

前言

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所属分类: 冶金 半金属与半导体材料 半金属与半导体材料综合 电气工程 半导体材料

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